V tomto příspěvku je popsáno využití mikroskopie založené na detekci atomárních sil (AFM) pro přípravu a pozorování nanostruktur vytvořených anodickou lokální oxidací na titanu. Je ukázáno, že v souladu s Cabrerovou-Mottovou teorií výška oxidových vrstev vytvořených pomocí AFM lineárně vzrůstá s napětím přiloženým mezi hrot a vzorek, zatímco rozměr pološířky tuto závislost nevykazuje. Dále je vynesena spojitost mezi výškou a pološířkou oxidových čar v závislosti na rychlosti pohybu hrotu po vzorku v průběhu oxidace. Rovněž je popsáno chování odporu tenkých vodivých kanálků vzhledem k jejich šířce., David Škoda, Filip Lopour, Radek Kalousek, David Burian, Jiří Spousta, Tomáš Šikola, František Matějka., and Obsahuje seznam literatury
Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelektroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve stuktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budeme prezentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxie na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvantitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozhraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována., Ivan Ohlídal, Daniel Franta, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
Stále se rozšiřující aplikace SPM přístrojů přinesly možnost zobrazovat bez větších problémů vzorky přímo v kapalných prostředích. To umožňuje zobrazit povrch vzorku s minimální silou mezi hrotem a povrchem a vyhnout se tak například poškození povrchu biologického preparátu. Režimy AFM používané v kapalném prostředí pro biologické vzorky jsou prakticky totožné s klasickými analýzami AFM. Ve větší míře se však využívá poklepový režim. Článek předkládá přehled typických aplikací AFM se skenerem pro kapalná prostředí (liquid scanner)., Roman Kubínek, Milan Vůjtek, Renata Holubová, Zdeňka Zapletalová, Hana Kolářová., and Obsahuje seznam literatury
Mikroskopie atomárních sil je moderní experimentální metoda užívaná k získání obrazu jak vodivých, tak nevodivých vzorků, proto mohou být zobrazovány kromě vodičů také organické materiály, izolátory, keramické látky, skla, polymery, biologické makromolekuly nebo žijící i nežijící buňky. Některé z těchto materiálů mohou být zobrazovány v různých prostředích, jako je vzduch, kapaliny, roztoky, vakuum či nízké teploty. To nám dává možnost pozorovat dynamické jevy v buňkách a probíhající buněčné procesy v reálném čase za podmínek, které zcela odpovídají jejich přirozenému prostředí [1], [2]., Kateřina Tománková, Hana Kolářová, Roman Kubínek, Milan Vůjtek, Hana Dušková., and Obsahuje seznam literatury
V tomto článku je prezentováno využití mikroskopie magnetické síly při studiu vlastností záznamových prostředí pevných disků. Kromě matematické formulace tohoto problému jsou zde uvedeny snímky získané pomocí mikroskopu Accurex II L, které ukazují rozložení signálu úměrně magnetické intenzitě v různých výškách nad povrchem studovaných vzorků. Dále je zde nastíněn postup při výpočtu měřeného signálu a interpretace získaných snímků. V závěru článku jsou popsány možnosti využití mikroskopie magnetické síly v oblasti záznamových médií i mimo ni., Martin Šiler, Ivan Ohlídal, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
Příspěvek se zabývá otázkou interakčních sil mezi hrotem sondy a studovaným povrchem při měření profilu povrchu pomocí bezkontaktní mikroskopie atomárních sil (AFM), které jsou zodpovědné za atomární rozlišení. Využitím kombinace dalekodosahových přitažlivých van der Waalsových sil a krátkodosahových odpudivých sil jsou prezentovány simulace zobrazovacích principů. Toto modelování umožňuje získat obrázky vybraných povrchů (např. Si) a diskutovat limity rozlišení metody., Radek Kalousek, David Škoda, Filip Lopour, Tomáš Šikola., and Obsahuje seznam literatury
V tomto příspěvku se budeme zabývat srovnáním snímků získaných při pozorování stejných objektů pomocí optické mikroskopie v blízkém poli (NSOM) a pomocí mikroskopie atomové síly (AFM). Pozornost bude soustředěna na tři vybrané objekty anorganického charakteru vyskytujcí se v různých oblastech fyziky, chemie a techniky. Bude se jednat o kalibrační mřížku pro mikroskopy atomové síly, holografickou desku a hliníkovou masku. Kromě toho prodiskutujeme výhodnost kombinace snímků AFM na jedné straně a snímků NSOM na straně druhé z hlediska jejich aplikace při kvalitativním i kvantitativním studiu různých objektů, které jsou vhodné pro zkoumání výše zmíněnými technikami., Petr Klapetek, Ivan Ohlídal., and Obsahuje seznam literatury
V tomto příspěvku jsou prezentovány výsledky studia povrchu tenkých vrstev SnO2 připravovaných plazmatickou oxidací tenkých vrsev cínu. Analýza topografie povrchu vrstev byla prováděna pomocí AFM mikroskopu. Tenké vrstvy SnO2 jsou velmi často využívány jako materiál pro přípravu senzorů plynů. Výsledné vlastnosti senzorů jsou pak závislé na některých parametrech vrstev SnO2, které závisejí na způsobu přípravy vrstev. Námi použitá metoda plazmatické oxidace tak rozšiřuje řadu doposud používaných technologií připravy tenkých vrstev SnO2., Zdeněk Strýhal, Jaroslav Pavlík, Stanislav Novák., and Obsahuje seznam literatury
V roce 1959 přednesl Richard Feynman na setkání Americké fyzikální společnosti na Kalifornském technologickém institutu (California Institute of Technology - Caltech) památnou přednášku, jež se považuje za jednu z prvních diskusí o využití procesů na atomární úrovni pro nové technologie. Tehdy vyslovil památnou větu „There’s Plenty of Room at the Bottom“, která se stala synonymem pro současnou éru nanotechnologií. V přednášce mj. představil vizi, jak snížit velikost počítačových obvodů až na jednotlivé atomy a dokonce nastínil možnost klinické aplikace malých funkcionalizovaných nanočástic uvnitř těla jako součást lékařské terapie. Není třeba zdůrazňovat, že se tehdy tyto vizionářské představy setkaly s jistou nedůvěrou. Současnost a hlavně budoucnost však Feynmanovy smělé vize předčí. and Pavel Jelínek.