Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelektroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve stuktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budeme prezentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxie na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvantitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozhraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována., Ivan Ohlídal, Daniel Franta, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
Křemíková fotonika, tj. integrace optických součástek spolu se stávající mikroelektronikou na jednom čipu, je jedna z perspektivních cest, která může splňovat stále vyšší požadavky rychle se rozvíjejícího počítačového a telekomunikačního průmyslu na rychlost a výkon komponent. K realizaci celokřemíkových optoelektronických čipů však chybí jedna z klíčových součástek, silný zdroj světla - křemíkový laser. Článek ukazuje možné přístupy k jeho sestrojení, zahrnující objemový křemík, křemíkové nanokrystaly, křemíkové monokrystaly dopované ionty erbia a stimulovaný Ramanův rozptyl, a shrnuje nedávné významné pokroky učiněné na cestě k realizaci křemíkového laseru., Kateřina Luterová, Ivan Pelant., and Obsahuje seznam literatury
The history of semiconductor injection lasers is briefly outlined and the need for lasers integrated on Si chips is explained. Several approaches to overcome inadequate properties of silicon are followed; including (i) silicon nanocrystals and other lowdimensional structures (ii) Si Raman laser, (iii) rare-earth doped Si, and (iv) non-silicon-material lasers integrated to Si chips. Finally, the recent germanium laser is described., Jan Valenta., and Obsahuje bibliografii