Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe

Title:

Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
Application of atomic force microscopy at analysis of thin layers ZnSe and ZnTe

Creator:

Ohlídal, Ivan, Franta, Daniel, and Klapetek, Petr

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:aee7e52e-6366-4111-a473-e59b9ebc8db7
uuid:aee7e52e-6366-4111-a473-e59b9ebc8db7
issn:0009-0700

Subject:

mikroelektronika, mikroskopie atomárních sil, tenké vrstvy, microelectronics, atomic force microscopy, thin films, 6, and 53

Type:

model:article and TEXT

Format:

print, bez média, and svazek

Description:

Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelektroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve stuktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budeme prezentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxie na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvantitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozhraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována., Ivan Ohlídal, Daniel Franta, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

97-100

Source:

Československý časopis pro fyziku | 2003 Volume:53 | Number:2

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false