Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelektroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve stuktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budeme prezentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxie na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvantitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozhraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována., Ivan Ohlídal, Daniel Franta, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
V tomto článku je prezentováno využití mikroskopie magnetické síly při studiu vlastností záznamových prostředí pevných disků. Kromě matematické formulace tohoto problému jsou zde uvedeny snímky získané pomocí mikroskopu Accurex II L, které ukazují rozložení signálu úměrně magnetické intenzitě v různých výškách nad povrchem studovaných vzorků. Dále je zde nastíněn postup při výpočtu měřeného signálu a interpretace získaných snímků. V závěru článku jsou popsány možnosti využití mikroskopie magnetické síly v oblasti záznamových médií i mimo ni., Martin Šiler, Ivan Ohlídal, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
V tomto příspěvku se budeme zabývat srovnáním snímků získaných při pozorování stejných objektů pomocí optické mikroskopie v blízkém poli (NSOM) a pomocí mikroskopie atomové síly (AFM). Pozornost bude soustředěna na tři vybrané objekty anorganického charakteru vyskytujcí se v různých oblastech fyziky, chemie a techniky. Bude se jednat o kalibrační mřížku pro mikroskopy atomové síly, holografickou desku a hliníkovou masku. Kromě toho prodiskutujeme výhodnost kombinace snímků AFM na jedné straně a snímků NSOM na straně druhé z hlediska jejich aplikace při kvalitativním i kvantitativním studiu různých objektů, které jsou vhodné pro zkoumání výše zmíněnými technikami., Petr Klapetek, Ivan Ohlídal., and Obsahuje seznam literatury
V tomto článku jsou uvedeny výsledky analýzy náhodné drsnosti spodních rozhraní oxidových vrstev vytvořených termickou oxidací povrchů monokrystalů GaAs, které byly získány pomocí mikroskopie atomové síly. Z výsledků této analýzy provedené na drsných površích GaAs vzniklých po rozpuštění oxidových vrstev je zřejmé, že tato spodní rozhraní jsou značně drsná a že jejich zdrsňování probíhá hlavně v počátečních stadiích oxidace, tj. v intervalu oxidačních časů od 0 do 4 hodin. Dále je ukázáno, že zdrsňování spodních rozhraní je silně závislé i na teplotě oxidace a že k nejvýraznějšímu zdrsňování dochází při teplotách oxidace okolo 500° C. Navíc je ukázáno, že drsná spodní rozhraní mají normální (gaussovský) charakter. and Ivan Ohlídal, Petr Klapetek, Daniel Franta.