Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelektroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve stuktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budeme prezentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxie na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvantitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozhraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována., Ivan Ohlídal, Daniel Franta, Petr Klapetek., and Obsahuje seznam literatury
V tomto článku jsou uvedeny výsledky analýzy náhodné drsnosti spodních rozhraní oxidových vrstev vytvořených termickou oxidací povrchů monokrystalů GaAs, které byly získány pomocí mikroskopie atomové síly. Z výsledků této analýzy provedené na drsných površích GaAs vzniklých po rozpuštění oxidových vrstev je zřejmé, že tato spodní rozhraní jsou značně drsná a že jejich zdrsňování probíhá hlavně v počátečních stadiích oxidace, tj. v intervalu oxidačních časů od 0 do 4 hodin. Dále je ukázáno, že zdrsňování spodních rozhraní je silně závislé i na teplotě oxidace a že k nejvýraznějšímu zdrsňování dochází při teplotách oxidace okolo 500° C. Navíc je ukázáno, že drsná spodní rozhraní mají normální (gaussovský) charakter. and Ivan Ohlídal, Petr Klapetek, Daniel Franta.