Křemíková fotonika, tj. integrace optických součástek spolu se stávající mikroelektronikou na jednom čipu, je jedna z perspektivních cest, která může splňovat stále vyšší požadavky rychle se rozvíjejícího počítačového a telekomunikačního průmyslu na rychlost a výkon komponent. K realizaci celokřemíkových optoelektronických čipů však chybí jedna z klíčových součástek, silný zdroj světla - křemíkový laser. Článek ukazuje možné přístupy k jeho sestrojení, zahrnující objemový křemík, křemíkové nanokrystaly, křemíkové monokrystaly dopované ionty erbia a stimulovaný Ramanův rozptyl, a shrnuje nedávné významné pokroky učiněné na cestě k realizaci křemíkového laseru., Kateřina Luterová, Ivan Pelant., and Obsahuje seznam literatury
Hydrogenizovaný mikrokrystalický křemík představuje širokou škálu materiálů s rozmanitou strukturou a vlastnostmi závislými na depozičních parametrech. V současnosti se věnuje pozornost vrstvám připraveným za velmi nízkých teplot (~ 80 °C), což je podmínkou výroby levných slunečních článků na plastových substrátech. I při takto nízké teplotě lze připravit kvalitní protokrystalické vrstvy (na hranici mezi amorfním a mikrokrystalickým růstem) pro sluneční články s vysokou účinností. V této práci se zabýváme vlivem tloušťky vrstvy, koncentrace silanu a teploty substrátu na strukturu a elektrické vlastnosti tenkých vrstev protokrystalického křemíku. Pro popis růstu mikrokrystalických zrn předkládáme jednoduchý geometrický model, jehož výsledky srovnáváme s naměřenými topografiemi reálných vzorků. Dále ukážeme vliv zrn na transportní vlastnosti tenkých křemíkových vrstev a naznačíme možné chování těchto vrstev při dalším snižování depoziční teploty., Tomáš Mates, Antonín Fejfar, Ivo Drbohlav, Bohumil Rezek, Petr Fojtík, Kateřina Luterová, Ivan Pelant, Jan Kočka., and Obsahuje seznam literatury