Search

Start Over Subject obálková metoda

1. Does anticipated regret really matter?: revisiting the role of feedback in auction bidding

Creator:
Katuščák, Peter, Michelucci, Fabio, Zajíček, Miroslav, Univerzita Karlova. Centrum pro ekonomický výzkum a doktorské studium, and Národohospodářský ústav (Akademie věd ČR)
Publisher:
CERGE-EI
Format:
electronic and 28 s. : il., tab.
Type:
model:monograph and TEXT
Subject:
Vnitřní obchod, aukce, modelování a simulace, auctions, modeling and simulation, obálková metoda, 339.375, 303.094.7, (048.8), 4, and 339.3
Language:
English and Czech
Description:
Peter Katuščák, Fabio Michelucci, Miroslav Zajíček., Obsahuje bibliografii a bibliografické odkazy, České resumé, and born digital
Rights:
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ and policy:public

2. Určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti pomocí nové varianty obálkové metody

Creator:
Luňáčková, Milena, Luňáček, Jiří, Potůček, Zdeněk, and Hlubina, Petr
Format:
bez média and svazek
Type:
model:article and TEXT
Subject:
spectral reflectance, thin-film, envelope method, absorption, spektrální odrazivost, tenká vrstva, obálková metoda, and absorpce
Language:
Czech
Description:
This paper deals with an alternative method to determine the thickness of a thin film on a substrate. A linear relation between the thin-film thickness and the wavelength of the reflectance spectrum tangent to the envelope function for specific interference order is revealed in a wide wavelength range. This relation enables the calculation of the thickness provided that the wavelength-dependent optical parameters of the thin film and the substrate are known. The methods allow to calculate the thickness from the reflectance spectrum in a narrow range close to one extreme only as demonstrated both theoretically and experimentally for Sio2 thin-films on Si substrates. The results are discussed for two wavelength ranges and compared with those obtained by the algebraic fitting method. and Práce prezentuje metodu určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti s využitím nové varianty obálkové metody. Byl nalezen lineární vztah mezi vlnovou délkou tečny spektrální odrazivosti k obálkové funkci a odpovídající tloušťkou tenké vrstvy pro daný interferenční řád v širokém spektrálním oboru. Tento lineární vztah umožňuje výpočet tloušťky vrstvy na základě známých spektrálních optických parametrů vrstvy a podložky. Metoda umožňuje výpočet tloušťky ze znalosti pouze malé části spektra v okolí jednoho extrému, jak je demonstrováno teoreticky a experimentálně na systému SiO2 - Si. Výsledky jsou porovnány s hodnotami, získanými algebraickou fitovací metodou.
Rights:
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ and policy:public