Určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti pomocí nové varianty obálkové metody

Title:

Určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti pomocí nové varianty obálkové metody
Thin-film thickness determination from a spectral reflectance measurement by using an alternative envelope method

Creator:

Luňáčková, Milena, Luňáček, Jiří, Potůček, Zdeněk, and Hlubina, Petr

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:d49fc7b6-26e8-4f54-ae2e-eda296035e0c
uuid:d49fc7b6-26e8-4f54-ae2e-eda296035e0c

Subject:

spectral reflectance, thin-film, envelope method, absorption, spektrální odrazivost, tenká vrstva, obálková metoda, and absorpce

Type:

model:article and TEXT

Format:

bez média and svazek

Description:

This paper deals with an alternative method to determine the thickness of a thin film on a substrate. A linear relation between the thin-film thickness and the wavelength of the reflectance spectrum tangent to the envelope function for specific interference order is revealed in a wide wavelength range. This relation enables the calculation of the thickness provided that the wavelength-dependent optical parameters of the thin film and the substrate are known. The methods allow to calculate the thickness from the reflectance spectrum in a narrow range close to one extreme only as demonstrated both theoretically and experimentally for Sio2 thin-films on Si substrates. The results are discussed for two wavelength ranges and compared with those obtained by the algebraic fitting method. and Práce prezentuje metodu určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti s využitím nové varianty obálkové metody. Byl nalezen lineární vztah mezi vlnovou délkou tečny spektrální odrazivosti k obálkové funkci a odpovídající tloušťkou tenké vrstvy pro daný interferenční řád v širokém spektrálním oboru. Tento lineární vztah umožňuje výpočet tloušťky vrstvy na základě známých spektrálních optických parametrů vrstvy a podložky. Metoda umožňuje výpočet tloušťky ze znalosti pouze malé části spektra v okolí jednoho extrému, jak je demonstrováno teoreticky a experimentálně na systému SiO2 - Si. Výsledky jsou porovnány s hodnotami, získanými algebraickou fitovací metodou.

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

188-191

Source:

Jemná mechanika a optika: věda - výzkum - technologie - realizace : technický oborový časopis = Fine mechanics and optics | 2009 Volume:54 | Number:6

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false