This paper deals with an alternative method to determine the thickness of a thin film on a substrate. A linear relation between the thin-film thickness and the wavelength of the reflectance spectrum tangent to the envelope function for specific interference order is revealed in a wide wavelength range. This relation enables the calculation of the thickness provided that the wavelength-dependent optical parameters of the thin film and the substrate are known. The methods allow to calculate the thickness from the reflectance spectrum in a narrow range close to one extreme only as demonstrated both theoretically and experimentally for Sio2 thin-films on Si substrates. The results are discussed for two wavelength ranges and compared with those obtained by the algebraic fitting method. and Práce prezentuje metodu určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti s využitím nové varianty obálkové metody. Byl nalezen lineární vztah mezi vlnovou délkou tečny spektrální odrazivosti k obálkové funkci a odpovídající tloušťkou tenké vrstvy pro daný interferenční řád v širokém spektrálním oboru. Tento lineární vztah umožňuje výpočet tloušťky vrstvy na základě známých spektrálních optických parametrů vrstvy a podložky. Metoda umožňuje výpočet tloušťky ze znalosti pouze malé části spektra v okolí jednoho extrému, jak je demonstrováno teoreticky a experimentálně na systému SiO2 - Si. Výsledky jsou porovnány s hodnotami, získanými algebraickou fitovací metodou.