Currently there exists a large number of different methods for surface characterization. Each method has its specific positives and negatives. This article offers a view at reference surface imperfections of optical surfaces using different observation techniques: scanning confocal microscopy, white light interferometry (WLI) and atomic force microscopy (AFM). Purpose of this is as complex as possible view to morphology and topography of defects in three-dimensional scale and comparison with their optical properties. and V současné době existuje velké množství různých metod pro charakterizaci povrchů. Každá metoda má své klady i zápory. Tento článek nabízí pohled na referenční povrchové vady optických ploch pomocí různých pozorovacích technik, a to skenovací konfokální mikroskopie, interferometrie v bílém světle a mikroskopie atomárních sil. Účelem je co nejkomplexnější pohled na morfologii defektů v trojrozměrném měřítku a porovnání s jejich optickými vlastnostmi.
Luminiscence (u kovů se častěji hovoří o fotonové emisi) buzená hrotem rastrujícího tunelovacího mikroskopu (STM) kombinuje výhody STM mikroskopu s výhodami optických emisních metod. Hlavním problémem metody je však malý luminiscenční signál. Při tunelujících proudech v řádu jednotek nA je u materiálů s největší kvatovou účinností přeměny elektronů na fotony emitováno do plného prostorového úhlu maximálně ~107 fotonů/s. Velká pozornost proto musí být věnována sběrnému systému fotonů: je zapotřebí maximalizovat prostorový úhel sběru současně s minimalizací ztrát a šumu v detekčním řetězci., Petr Fojtík, Tomáš Mates, Antonín Fejfar, Jan Kočka, Ivan Pelant, Antonín Svoboda., and Obsahuje seznam literatury
V práci vyšetrujeme vplyv rozmerov topografických čŕt v tvare valcovitého výstupku alebo valcovitej dutiny vo vodivej rovine na kapacitu, snímanú sondou rastrovacieho kapacitného mikroskopu. Rozptylové pole sondy spôsobuje, že aj značne vzdialené časti povrchu ovplyvňujú meranie. Výsledky umožňujú stanoviť minimálny priemer povrchových čŕt potrebný na zobrazenie ich výšky alebo hĺbky s prijateľnou chybou. Potrebný priemer dutín, pri ktorom sa dosahuje chyba menšia ako 10 %, je väčší ako potrebný priemer výstupkov a pri hĺbke 100 nm dosahuje až 10 μm. Aj v prípade hĺbky okolo 10 nm predstavuje asi 5 μm, resp. asi 1 μm u výstupkov rovnakej výšky. Z toho vyplýva nutnosť rekonštrukcie dát, ak sa na submikrónových štruktúrach majú pomocou netienených sond získať správne kvantitatívne hodnoty. Podstatné zlepšenie sa dá dosiahnuť s použitím tienených sond s veľmi malým priemerom ústia tienenia., Štefan Lányi., and Obsahuje seznam literatury
Článek se zabývá dosažením prostorového superrozlišení pomocí lokální fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých teček je použit rastrovací odrazný mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou tečkou a vykazuje exponenciální pokles s rostoucí vzdáleností vzorku od hrotu sondy. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelníého zdroje. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intentzity od blízkého a vzdáleného pole. Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy vnořených kvantových teček s prostorovým rozlišením lepším než 300 nm., Dana Košťálová., and Obsahuje seznam literatury
Rastrovacie sondové mikroskopie významne ovplyvnili fyziku povrchov, elektrochémiu či biológiu, ale aj viacero technologických oblastí od výroby pevných diskov po kozmetiku. Priniesli rad nových poznatkov a použitie obrazov, získaných pomocou niektorej z nich, sa v publikáciach stalo skoro módou. Nedávno oslávili tri techniky, ktoré patria do tejto rozvetvenej rodiny, malé výročia. Stručne si ich týmto príspevkom pripomenieme., Štefan Lányi., and Obsahuje seznam literatury
Skenovací tunelovací mikroskopie je prezentována jako velmi úspěšná metoda pro zkoumání krystalové stuktury epitaxních heterostruktur vypěstovaných metodami epitaxe z molekulárních svazků a epitaxe z plynné fáze. Ukázky v této práci se týkají polovodičových materiálů GaAs, AlAs, InAs a MnAs uspořádaných do různých typů., Oliva Pacherová, Edvin Lundgren, Anders Mikkelsen, Lassana Ouattara, Henrik Davidsson., and Obsahuje seznam literatury