Vděčným tématem pro experimentální úlohy fyzikálních olympiád jsou různé polovodičové prvky. Článek představuje dvě experimentální úlohy zadané na mezinárodních fyzikálních olympiádách v 70. letech minulého století. Na závěr je uvedena pro srovnání experimentální úloha domácího kola FO na Slovensku ze školního roku 2009/2010., Jan Kříž, Filip Studnička, Ľubomír Konrád, Bohumil Vybíral., and Obsahuje bibliografii
The plasmonic properties of heavy doped semiconductors at a terahertz and far infrared frequencies are discussed in this article. Special attention is devoted to the semiconductors due to their tunability, extremely low effective masses and exceptionally high carrier mobility. Mathematical model is based on Drude-Lorentz oscillators that bring the properties of free electron gas and heteropolar lattice vibrations. The experimental values for indium antimonide n-doped at the 1017 cm-3 are used for calculations. The resonant quality, electric field amplification and dipolar moment are presented for five nanoantennas with different shapes. and V článku sú diskutované plazmonické vlastnosti ťažko dopovaných polovodičov v terahertzovej a ďalekej infračervenej oblasti. Špeciálna pozornosť je venovaná polovodičom z dôvodu ľaditeľnosť ich vlastností, veľmi nízkej efektívnej hmotnosti a výnimočne vysokej pohyblivosti elektrónov. Permitivita materialu je počítaná na základe Drudeho-Lorentzovho modelu, ktorý zahŕňa vlastnosti voľných elektrónov, aj vibrácie heteropolárnej mriežky materiala. Pri výpočtoch sú použité experimentálne hodnoty odmerané na polovodiči n-dopovanom polovodiči indium antimód s koncentráciou vodivostných elektrónov 1017 cm-3. Prezentované výsledky rezonančnej kvality, zosilnenia elektrického poľa a radiačného dipólového momentu sú vypočítané pre päť nanoantén rôzneho tvaru.
V tomto článku informujeme stručně o výzkumu v oblasti polovodičových materiálů a struktur na ÚFKL, podrobněji pak o nově otevřené laboratoři polovodičů - čistých prostorách pro křemíkovou technologii. and Josef Humlíček, Petr Mikulík.
V tomto článku jsou uvedeny výsledky analýzy náhodné drsnosti spodních rozhraní oxidových vrstev vytvořených termickou oxidací povrchů monokrystalů GaAs, které byly získány pomocí mikroskopie atomové síly. Z výsledků této analýzy provedené na drsných površích GaAs vzniklých po rozpuštění oxidových vrstev je zřejmé, že tato spodní rozhraní jsou značně drsná a že jejich zdrsňování probíhá hlavně v počátečních stadiích oxidace, tj. v intervalu oxidačních časů od 0 do 4 hodin. Dále je ukázáno, že zdrsňování spodních rozhraní je silně závislé i na teplotě oxidace a že k nejvýraznějšímu zdrsňování dochází při teplotách oxidace okolo 500° C. Navíc je ukázáno, že drsná spodní rozhraní mají normální (gaussovský) charakter. and Ivan Ohlídal, Petr Klapetek, Daniel Franta.