The present article shows formulations and interpretations of the basic mathematical relations that contain Fermi characteristic quantities and relate to the electron conductance of a homogeneous metallic or semiconducting thin layer. Two approaches to this conductance are chosen, namely from the standpoint of wave number or energetic quantum states of conductive electrons in dependence on their concentration, absolute temperature and acted homogeneous electrostatic field. The theoretical analyses are carried out for drifted and diffused conductive electrons. The relations formulated are of practical importance for development of modern integrated electronical and opto-electronical devices. and Prezentovaný článek uvádí formulace a interpretace základních matematických relací, obsahujících Fermiho charakteristické veličiny a vztažených k elektronové vodivosti homogenní kovové nebo polovodičové tenké vrstvy. Je zvolen dvojí přístup k této vodivosti, a to z hlediska vlnočtových nebo energetických kvantových stavů vodivostních elektronů v závislosti na jejich koncentraci, absolutní teplotě a působícím homogenním elektrostatickém poli. Teoretické analýzy jsou provedeny pro driftové a difuzní vodivostní elektrony. Formulované relace mají praktický význam pro rozvoj moderních integrovaných elektronických a optoelektronických zařízení.