We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native Sio2 layer on a silicon substrate. on the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of co atoms in the vicinity of FIb modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared., Včlánku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze., and obrázky 1 a 4 jsou uvedeny na 3. straně obálky v barevném provedení
We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared. and V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.