We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared. and V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.