One of the main goals in e-beam lithography is to increase exposure speed to achieve higher throughput. There are basically two types of electron-beam writers, shaped beam lithography systems and Gaussian beam lithography systems. The exposure time of both
e-beam writers consist in essence of beam-on time, deflection system stabilization time and stage movement time. Exposure time testing was carried out on two types of patterns. There were completely filled in areas, binary period gratings (ratio 1:1 between exposed and unexposed areas), and multileveled structures (computer generated holograms). Exposures data was prepared according to standard technology (PMMA resist, exposure dose, non-alcoholic based developer) for both systems. The result of experiment shows that variable shaped beam system has advantage in multileveled structures while the Gaussian beam system is more suitable for gratings type of pattern. It was proved that combination of both systems has its use to increase exposures throughput. and Jedním z hlavních témat vývoje v oblasti elektronové litografie je zvýšení expoziční rychlosti, tedy zvýšení výkonnosti, resp. propustnosti. Existují dva základní typy elektronových litografů, elektronové litografy pracující s obdélníkovým svazkem proměnné velikosti a elektronové litografy pracující s gaussovským svazkem kruhového průřezu. Expoziční doba obou typů litografických systémů se v podstatě skládá z doby otevření svazku, z doby stabilizace vychylovacího systému a z doby pojezdu stolu s exponovaným substrátem. Měření expoziční doby, resp. doby expozice, bylo prováděno na dvou typech exponovaných struktur: binárních mřížkách (s poměrem mezi exponovanou a neexponovanou oblastí 1:1) a víceúrovňových strukturách (počítačem generovaných hologramech). Expoziční data byla připravena tak, aby bylo možné zpracovat exponované substráty z obou typů litografů stejným technologickým postupem (PMMA resist, vyvolávací doba, bezalkoholová vývojka). Na základě výsledků experimentů můžeme říci, že litografický systém s obdélníkovým svazkem proměnné velikosti je výhodnější použít pro expozice víceúrovňových struktur, zatímco systém s gaussovským svazkem je vhodnější pro struktury typu mřížek. Bylo prokázáno, že zkombinování obou typů litografických systémů na jedné expozici může vést ke zvýšení expoziční rychlosti, a tedy propustnosti.
The paper describes an improvement of electron-beam lithograph BS 600 working with a fixed accelerating voltage of 15 kV and a rectangular-shape variable-size electron beam. The system has undertaken an important upgrade during last few years. Main goal was to increase the resolution and the writing speed. Achieved parameters and characteristics of the system are described as well as few examples of prepared structures. and Článek popisuje úpravu původního elektronového litografu BS 600 pracujícího s urychlovacím napětím 15 kV, který prošel v posledních letech výraznou rekonstrukcí. Základní požadavky jsou kladeny na zlepšení rozlišení a zvýšení expoziční rychlosti. Kromě vlastností a dosažených parametrů jsou uvedeny rovněž příklady struktur vytvořených pomocí tohoto systému. Litograf je využíván pro přípravu masek, přímou litografii i realizaci reliéfních struktur. Pro kontrolu realizovaných struktur byl použit mikroskop s rastrující sondou a rastrovací elektronový mikroskop.