The methods used for simulation of electron-optical systems with high beam current are briefly summarized, with the focus on the methods used at the Institute of Scientific Instruments of the Czech Academy of Sciences. It is possible to apply these methods on the entire electron optical system from the cathode surface to the working plane. The vicinity of the cathode is simulated with the particle-in-cell method, and the rest of the system is treated using our novel method based on the evaluation of an aberration polynomial. This method provides a significant improvement in accuracy of the computation without higher requirements on the computation time. and Předkládáme popis elektronově optických systémů s vysokým proudem ve svazku a metod, které se používají pro jejich simulaci. Blíže se pak zaměříme na algoritmus vyvinutý na Ústavu přístrojové techniky, který je použitelný ve všech oblastech simulovaného systému od povrchu katody až po pracovní rovinu. Bezprostřední okolí katody je simulováno známou metodou particle-in-cell, zatímco ve zbytku systému se k výpočtu rozložení hustoty prostorového náboje využívá nová metoda založená na vyhodnocení aberačního polynomu.
The paper describes an improvement of electron-beam lithograph BS 600 working with a fixed accelerating voltage of 15 kV and a rectangular-shape variable-size electron beam. The system has undertaken an important upgrade during last few years. Main goal was to increase the resolution and the writing speed. Achieved parameters and characteristics of the system are described as well as few examples of prepared structures. and Článek popisuje úpravu původního elektronového litografu BS 600 pracujícího s urychlovacím napětím 15 kV, který prošel v posledních letech výraznou rekonstrukcí. Základní požadavky jsou kladeny na zlepšení rozlišení a zvýšení expoziční rychlosti. Kromě vlastností a dosažených parametrů jsou uvedeny rovněž příklady struktur vytvořených pomocí tohoto systému. Litograf je využíván pro přípravu masek, přímou litografii i realizaci reliéfních struktur. Pro kontrolu realizovaných struktur byl použit mikroskop s rastrující sondou a rastrovací elektronový mikroskop.