This article deals with modification and renovation of the ellipsometer Gaertner L119 and its using for thin-film structures study. The measurement process is fully automatized. The device works at constant wavelength in PCSA null regime and the data are obtained for various angles of incidence. The system was tested on a set of SiO2 thin-films prepared on Si single crystal wafers by thermal oxidation at 1200°C. The thicknesses obtained from experiment were compared with the results obtained by using of Yamaguchi type spectral ellipsometric system as well as with the data determined from white-light interferometry and spectral reflectometry. and Předložená práce se zabývá popisem úprav a modernizace elipsometru Gaertner L119 a jeho využitím pro studium tenkých vrstev s automatizovaným režimem měřicího procesu. Zařízení se využívá jako nulovací elipsometr v konfiguraci PCSA pro měření na jedné vlnové délce při různých úhlech dopadu. K testování přístroje byla provedena měření tloušťky vrstev SiO2 připravených termickou oxidací na monokrystalických křemíkových deskách při teplotě 1200 °C. Naměřené tloušťky byly porovnány jednak s výsledky měření na spektrálním elipsometru systému Yamaguchi a také s interferometrickými a reflektometrickými měřeními v bílém světle.