Technologii molekulární epitaxe, známou pod zkratkou MBE (Molecular Beam Epitaxy), není třeba fyzikální obci zvlášť představovat. Tato tenkovrstvá technologie, jejíž předností je příprava krystalicky dokonalých vrstev s tloušťkou od jedné monovrstvy výše a s nejostřejšími rozhraními mezi nimi, našla již v polovodičové fyzice své pevné místo. Její podíl na rozvoji důležité oblasti fyziky pevných látek posledních patnácti let - nízkorozměrových polovodičových nanostruktur - je zásadní. V tomto přehledu si připomeňme již dvacetiletou historii této technologie ve FZÚ AV ČR a cesty, jimiž se zde vyvíjela., M. Cukr, V. Novák., and Obsahuje seznam literatury