We present a method of laser interferometry appropriate for precise determination of the depth of etching in a deep reactive ion etching system (DRIE), primarily used for manufacturing of micro-electro-mechanical systems (MEMS). The system uses previous interferometer designs developed at the Institute of Institute of Scientific Instruments of the CAS, v. v. i. (ISI). We designed and manufactured a measurement system for specific MEMS and its functionality verified with the KLATencor D-120 profilemeter. and Představujeme laserovou interferometrickou metodu pro přesné měření hloubky leptu v průběhu procesu hlubokého reaktivního iontového leptání (DRIE), která se primárně využívá při zhotovování mikro-elektro-mechanických systémů (MEMS). Systém využívá předchozích návrhů interferometrických systémů vyvinutých na Ústavu přístrojové techniky AV ČR, v.v.i. (ÚPT). Navrhli jsme a zkonstruovali odměřovací zařízení pro specifickou oblast MEMS systémů a jeho funkčnost ověřili měřením na profilometru KLA Tencor D-120.