Low-frequency noise in MOSFETs is given mainly by 1/f-like noise and RTS (random telegraph signal) noise components, generated by charge carriers capture and emission by traps near channel. In this paper experimental results on RTS noise amplitude and mean capture and emission times are analysed as a function of applied bias and temperature and traps characteristics, such as activation energy and their position in channel are estimated. and Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.