Článek shrnuje různé teoretické úvahy i empirické pokusy o dosažení laserové akce na mezipásových elektronových přechodech v polovodičích s nepřímým zakázaným pásem (germanium a křemík), počínaje zrodem "laserové epochy" na začátku šedesátých let minulého století. Zatímco v germaniu bylo laserování za pokojové teploty a při elektrickém čerpání nedávno konečně experimentálně demonstrováno, v křemíku zůstává tento cíl stále ještě iluzorní. Pro tento případ článek zdůrazňuje nutnost použít poněkud jiný přístup než u germania. V tomto smyslu jsou diskutovány nejnovější výsledky získané s použitím luminiscenčních křemíkových kvantových teček (nanokrystalů)., Various theoretical, as well as empirical considerations, about how to achieve lasing between the conduction and valence bands in indirect band gap semiconductors (germanium and silicon) are reviewed, starting from the dawn of the laser epoch in the beginning of the sixties. Whilst room-temperature lasing under electrical pumping has recently been achieved for Ge, this objective for Si still remains illusory. The necessity of applying a slightly different approach in Si as opposed to Ge is stressed. Recent advances in the field are discussed, based in particular, on light-emitting Si quantum dots., Ivan Pelant, Kateřina Kůsová., and Obsahuje bibliografické odkazy