This article deals with a morphology analysis of polycrystalline ZNO thin films deposited by radio-frequency diode sputtering in Ar+ and Ar’+N2 atmosphere on the SiO2/Si and glass substrates. The surface structure of polycrystalline ZnO sputtered films of about 500 nm thickness was revealed using an atom force microscopy method and then after their thermal annealing at temperature 500 °C - 600 °C in N2 and H2+N2 forming gas atmosphere. The surface roughness and granularity of tested samples were analysed. The obtained results confirmed that sputtering conditions together with annealing have an effect on polycrystalline ZnO film characteristics. and Príspevok sa zaoberá povrchovou analýzou tenkých vrstiev polykryštalického ZnO, ktoré boli pripravené rádio-frekvenčným diódovým naprašovaním v Ar+ a Ar++ N2 atmosfére na substrátoch SiO2/Si a skle. Metódou atómovej silovej mikroskopie bola zisťovaná povrchová štruktúra polykryštalického ZnO s hrúbkou naprášených vrstiev ~ 500 nm a po ich následnom zažíhaní metódou rýchleho tepelného žíhania pri teplotách 500 - 600 °C v atmosfére N2 a H2+N2 formovacom plyne. Na meraných vzorkách boli vyhodnotené parametre drsnosti a zrnitosti povrchu. Dosiahnuté výsledky potvrdili, že podmienky naprašovania a následné žíhanie vplýva na štrukturálne vlastnosti polykryštalických vrstiev ZnO.