Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift current component for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode. and Článek se zabývá transportem nosičů náboje v kanálu tranzistoru typu MOSFET za předpokladu, že pohyblivost elektronů nezávisí na intenzitě podélného elektrického pole, určeného napětím na kolektoru a koncentrace elektronů v kanálu je exponenciální funkcí rozdílového napětí mezi elektrodou hradla a křemíkového substrátu. V tomto případě je celkový proud složen z proudu driftového a difuzního a je určen poměr mezi oběma složkami. Za těchto předpokladů je odvozeno rozdělení koncentrace nosičů a závislost napětí na poloze v kanálu.
The paper introduces a method for fabrication of microscopic cathode based on Schottky field emission. Schottky emission is the predominant electron source technology in actual focused electron beam equipment, including scanning electron microscopy (SeM), (TeM) transmission electron microscopy, auger systems, and semiconductor inspection tools. achieving proper results requires an electron source with the following ideal properties: small source size, low electron emission energy spread, high brightness (beam current per solid angle), low noise and long-term stability, simple and low-cost operation. recently new technical modifications have been made in order to improve current fabrication methods. Widely used ''drop off'' method was further improved in order to allow reproducible tip fabrication with ultra sharp tips which radius reaches tens of nanometres. and Příspěvek se zabývá metodou automatizované výroby Schottkyho katod pro potřeby elektronové mikroskopie. Mezi jednotlivými elektronovými zdroji začínají v poslední době převládat právě katody založené na principu Schottkyho emise. Především se jedná o SEM (rastrovací elektronovou mikroskopii), TEM (transmisní elektronovou mikroskopii), Augerovy systémy a o systémy pro diagnostiku v polovodičovém průmyslu. Nároky na parametry přístrojů stále narůstají, z čehož přirozeně vyplývá i potřeba kvalitního elektronového zdroje o malé velikosti, nízké energii rozptýlených elektronů, vysoké svítivosti, s nízkým šumem, dlouhodobě teplotně stabilního a především s nízkými provozními náklady. Dosud byly za účelem zlepšení spolehlivosti přípravy implementovány mnohé technické modifikace související s výrobou a úpravou hrotů katod. Široce používané elektrochemické leptání metodou „drop off“ bylo dále zdokonaleno, aby umožnilo reprodukovatelnou výrobu hrotů o poloměru v řádech desítek nm.