V práci vyšetrujeme vplyv rozmerov topografických čŕt v tvare valcovitého výstupku alebo valcovitej dutiny vo vodivej rovine na kapacitu, snímanú sondou rastrovacieho kapacitného mikroskopu. Rozptylové pole sondy spôsobuje, že aj značne vzdialené časti povrchu ovplyvňujú meranie. Výsledky umožňujú stanoviť minimálny priemer povrchových čŕt potrebný na zobrazenie ich výšky alebo hĺbky s prijateľnou chybou. Potrebný priemer dutín, pri ktorom sa dosahuje chyba menšia ako 10 %, je väčší ako potrebný priemer výstupkov a pri hĺbke 100 nm dosahuje až 10 μm. Aj v prípade hĺbky okolo 10 nm predstavuje asi 5 μm, resp. asi 1 μm u výstupkov rovnakej výšky. Z toho vyplýva nutnosť rekonštrukcie dát, ak sa na submikrónových štruktúrach majú pomocou netienených sond získať správne kvantitatívne hodnoty. Podstatné zlepšenie sa dá dosiahnuť s použitím tienených sond s veľmi malým priemerom ústia tienenia., Štefan Lányi., and Obsahuje seznam literatury