Pěstování GaN na safíru pomocí mezivrstvy deponované při nízkých teplotách a realizace GaN typu p s využitím dopování Mg s následným ozářením elektronovým svazkem o nízké energii: Přednáška u příležitosti udělení Nobelovy ceny za fyziku za rok 2014

The item or associated files might be "in copyright"; review the provided rights metadata: and the original context.

Original context