Sentence view Universal Dependencies - Czech - CAC Language Czech Project CAC Corpus Part train Annotation Hladká, Barbora; Zeman, Daniel
Text: Transcription Written form - Colors
showing 101 - 200 of 206 • previous • next
Polovodič typu * vzniká tím , že do čistého čtyřmocného polovodičového materiálu zavedeme některý pětimocný prvek , který má pět elektronů na své vnější slupce .
s-101
s12w-s101
s12w#101
Polovodič typu * vzniká tím, že do čistého čtyřmocného polovodičového materiálu zavedeme některý pětimocný prvek, který má pět elektronů na své vnější slupce.
Může to být fosfor , arzén nebo antimon .
s-102
s12w-s102
s12w#102
Může to být fosfor, arzén nebo antimon.
Tyto úmyslně zaváděné příměsi nazýváme donory , protože jenom čtyři periferní elektrony mohou vytvářet kovalenční vazbu se sousedními atomy germania nebo křemíku , kdežto pátý periferní elektron je ke svému atomu vázán velmi volně , a to přitažlivou silou svého negativního náboje a pozitivního náboje zbytku příměsového atomu .
s-103
s12w-s103
s12w#103
Tyto úmyslně zaváděné příměsi nazýváme donory, protože jenom čtyři periferní elektrony mohou vytvářet kovalenční vazbu se sousedními atomy germania nebo křemíku, kdežto pátý periferní elektron je ke svému atomu vázán velmi volně, a to přitažlivou silou svého negativního náboje a pozitivního náboje zbytku příměsového atomu.
Elektron uvolněný donorem se dále pohybuje jako volný elektron a příslušný polovodič je typu * , protože elektrony v něm jsou většinovými nosiči .
s-104
s12w-s104
s12w#104
Elektron uvolněný donorem se dále pohybuje jako volný elektron a příslušný polovodič je typu * , protože elektrony v něm jsou většinovými nosiči.
Donorový atom , který pozbyl jeden elektron , stává se kladně nabitým iontem pevně zasazeným v krystalové mřížce .
s-105
s12w-s105
s12w#105
Donorový atom, který pozbyl jeden elektron, stává se kladně nabitým iontem pevně zasazeným v krystalové mřížce.
V energetickém diagramu na * je energetická úroveň donorů vyznačena v malé vzdálenosti pod dolní hranicí vodivostního pásu .
s-106
s12w-s106
s12w#106
V energetickém diagramu na * je energetická úroveň donorů vyznačena v malé vzdálenosti pod dolní hranicí vodivostního pásu.
Při pokojové teplotě dostanou se elektrony z donorů v zakázaném pásu do vodivostního pásu překonáním malého energetického rozdílu .
s-107
s12w-s107
s12w#107
Při pokojové teplotě dostanou se elektrony z donorů v zakázaném pásu do vodivostního pásu překonáním malého energetického rozdílu.
Na * je vynesen počet kvantových stavů zcela obdobně jako na ? .
s-108
s12w-s108
s12w#108
Na * je vynesen počet kvantových stavů zcela obdobně jako na ? .
Na * je znázorněna situace , donory dotovaného základního germaniového nebo křemíkového materiálu při idealizovaném rozvinutí v rovině .
s-109
s12w-s109
s12w#109
Na * je znázorněna situace, donory dotovaného základního germaniového nebo křemíkového materiálu při idealizovaném rozvinutí v rovině.
V daném případě je naznačen jeden pětimocný atom fosforu v mřížce základního křemíku .
s-110
s12w-s110
s12w#110
V daném případě je naznačen jeden pětimocný atom fosforu v mřížce základního křemíku.
Za velmi nízkých teplot jsou elektrony na nejnižších možných úrovních energie , a proto zajímají valenční pás a hladiny donorové .
s-111
s12w-s111
s12w#111
Za velmi nízkých teplot jsou elektrony na nejnižších možných úrovních energie, a proto zajímají valenční pás a hladiny donorové.
Stoupá - li teplota , excitují se nejprve elektrony z valenčního pásu na hladiny akceptorové a z donorových hladin do vodivostního pásu .
s-112
s12w-s112
s12w#112
Stoupá- li teplota, excitují se nejprve elektrony z valenčního pásu na hladiny akceptorové a z donorových hladin do vodivostního pásu.
Při vyšších teplotách mohou elektrony z valenčního pásu přecházet přímo do pásu vodivostního .
s-113
s12w-s113
s12w#113
Při vyšších teplotách mohou elektrony z valenčního pásu přecházet přímo do pásu vodivostního.
Vodivost polovodičů typu * a typu * se souborně nazývá extrinsickou anebo příměsovou vodivostí , na rozdíl od dříve poznané vodivosti čistých polovodičů zvané vlastní či intrinsická .
s-114
s12w-s114
s12w#114
Vodivost polovodičů typu * a typu * se souborně nazývá extrinsickou anebo příměsovou vodivostí, na rozdíl od dříve poznané vodivosti čistých polovodičů zvané vlastní či intrinsická.
Při ionizaci čistého germania nebo křemíku vzniká pohyblivý elektron a pohyblivá díra , kdežto při ionizaci příměsi vzniká jeden pohyblivý nosič a druhý nepohyblivý iont .
s-115
s12w-s115
s12w#115
Při ionizaci čistého germania nebo křemíku vzniká pohyblivý elektron a pohyblivá díra, kdežto při ionizaci příměsi vzniká jeden pohyblivý nosič a druhý nepohyblivý iont.
U příměsového polovodiče nás zajímá počet volných elektronů a volných děr , které jsou k dispozici .
s-116
s12w-s116
s12w#116
U příměsového polovodiče nás zajímá počet volných elektronů a volných děr, které jsou k dispozici.
Budiž počet elektronů vázaných na akceptorových hladinách # , počet děr vázaných na donorových hladinách # , a to v jednotce objemu * .
s-117
s12w-s117
s12w#117
Budiž počet elektronů vázaných na akceptorových hladinách # , počet děr vázaných na donorových hladinách # , a to v jednotce objemu * .
Celkový počet děr se musí rovnat počtu excitovaných nabuzených elektronů , které je vytvořily , tedy # .
s-118
s12w-s118
s12w#118
Celkový počet děr se musí rovnat počtu excitovaných nabuzených elektronů, které je vytvořily, tedy # .
Experimentálně bylo dokázáno , že elektrony v příměsových polovodičích a kovech se řídí pravidly Fermi - Diracovými .
s-119
s12w-s119
s12w#119
Experimentálně bylo dokázáno, že elektrony v příměsových polovodičích a kovech se řídí pravidly Fermi-Diracovými.
Pravděpodobnost obsazení energetické hladiny elektronem je dána Fermi - Diracovou rozdělovací funkcí , kde * je Fermiho hladina , * energie , * Boltzmannova konstanta * ergů na * , * absolutní teplota ve stupních Kelvinových .
s-120
s12w-s120
s12w#120
Pravděpodobnost obsazení energetické hladiny elektronem je dána Fermi-Diracovourozdělovací funkcí, kde * je Fermiho hladina, * energie, * Boltzmannova konstanta * ergů na * , * absolutní teplota ve stupních Kelvinových.
Opačným pochodem ionizace je rekombinace , při níž se volné elektrony a díry spojují , a tak oboje mizí .
s-121
s12w-s121
s12w#121
Opačným pochodem ionizace je rekombinace, při níž se volné elektrony a díry spojují, a tak oboje mizí.
Může se to stát tím , že volný elektron je znovu zachycen donorovými atomem , iontem , nebo díra se může znovu zachytit na akceptorovém atomu .
s-122
s12w-s122
s12w#122
Může se to stát tím, že volný elektron je znovu zachycen donorovými atomem, iontem, nebo díra se může znovu zachytit na akceptorovém atomu.
Při rekombinaci nosičů se uvolňuje energie obvykle v podobě fononu , což je vlastně návrat ionizační energie , která byla dříve absorbována při vytváření párů volných nosičů .
s-123
s12w-s123
s12w#123
Při rekombinaci nosičů se uvolňuje energie obvykle v podobě fononu, což je vlastně návrat ionizační energie, která byla dříve absorbována při vytváření párů volných nosičů.
Protože všechny volné elektrony a díry podléhají možnosti rekombinace , existují jako volné nosiče jenom po určité časové intervaly .
s-124
s12w-s124
s12w#124
Protože všechny volné elektrony a díry podléhají možnosti rekombinace, existují jako volné nosiče jenom po určité časové intervaly.
Přitom je doba života volných elektronů * .
s-125
s12w-s125
s12w#125
Přitom je doba života volných elektronů * .
* je doba života volných děr .
s-126
s12w-s126
s12w#126
* je doba života volných děr.
Doby života se pohybují od nanosekund do mikrosekund .
s-127
s12w-s127
s12w#127
Doby života se pohybují od nanosekund do mikrosekund.
U intrinsických materiálů .
s-128
s12w-s128
s12w#128
U intrinsických materiálů.
V dotovaných materiálech je doba života většinových nosičů podstatně delší než doba života menšinových nosičů , protože je menší pravděpodobnost rekombinování .
s-129
s12w-s129
s12w#129
V dotovaných materiálech je doba života většinových nosičů podstatně delší než doba života menšinových nosičů, protože je menší pravděpodobnost rekombinování.
Rekombinaci i ionizaci napomáhají krystalové nedokonalosti .
s-130
s12w-s130
s12w#130
Rekombinaci i ionizaci napomáhají krystalové nedokonalosti.
Nazývají se pasti nebo rekombinační centra , nedokonalosti krystalu se mohou vyskytovat bodově nebo v širší oblasti .
s-131
s12w-s131
s12w#131
Nazývají se pasti nebo rekombinační centra, nedokonalosti krystalu se mohou vyskytovat bodově nebo v širší oblasti.
Mezi bodové nedokonalosti patří vakance , vyprázdnění , chybí - li atom v krystalové mřížce , nazývá se též Schottkyho defektem .
s-132
s12w-s132
s12w#132
Mezi bodové nedokonalosti patří vakance, vyprázdnění, chybí- li atom v krystalové mřížce, nazývá se též Schottkyho defektem.
Mimořádný atom v mřížce zvaný intersticiální .
s-133
s12w-s133
s12w#133
Mimořádný atom v mřížce zvaný intersticiální.
Kombinuje - li se vakance s intersticiálním defektem , vzniká defekt Frenkelův .
s-134
s12w-s134
s12w#134
Kombinuje- li se vakance s intersticiálním defektem, vzniká defekt Frenkelův.
Je to tak , jako kdyby se celý atom posunul ze svého místa do místa mezilehlého .
s-135
s12w-s135
s12w#135
Je to tak, jako kdyby se celý atom posunul ze svého místa do místa mezilehlého.
Uvedené defekty bývají důsledkem tepelného kmitání krystalové mřížky .
s-136
s12w-s136
s12w#136
Uvedené defekty bývají důsledkem tepelného kmitání krystalové mřížky.
Rozsáhlejší části krystalu mohou být postiženy dislokacemi vlivem mechanického nebo tepelného namáhání .
s-137
s12w-s137
s12w#137
Rozsáhlejší části krystalu mohou být postiženy dislokacemi vlivem mechanického nebo tepelného namáhání.
V pevné fázi jsou nosiče ovlivňovány přítomnými atomy základní hmoty polovodiče .
s-138
s12w-s138
s12w#138
V pevné fázi jsou nosiče ovlivňovány přítomnými atomy základní hmoty polovodiče.
Dochází ke srážkám nosičů , a proto jejich průchod závisí značně na vlastnostech pevné fáze .
s-139
s12w-s139
s12w#139
Dochází ke srážkám nosičů, a proto jejich průchod závisí značně na vlastnostech pevné fáze.
Pro zjednodušení sledujme proud v polovodiči jednorozměrově .
s-140
s12w-s140
s12w#140
Pro zjednodušení sledujme proud v polovodiči jednorozměrově.
Rychlost elektronů zprostředkujících proud je * a hustota nábojů je * , kde * je hustota elektronu .
s-141
s12w-s141
s12w#141
Rychlost elektronů zprostředkujících proud je * a hustota nábojů je * , kde * je hustota elektronu.
Průřezem pak prochází proud .
s-142
s12w-s142
s12w#142
Průřezem pak prochází proud.
Sledujeme - li tento proud v krystalu podoby tyčky o průřezu * , jejíž osa splývá se směrem rychlosti , můžeme předpokládat , že proud je úměrný intenzitě elektrického pole .
s-143
s12w-s143
s12w#143
Sledujeme- li tento proud v krystalu podoby tyčky o průřezu * , jejíž osa splývá se směrem rychlosti, můžeme předpokládat, že proud je úměrný intenzitě elektrického pole.
Tedy platí * , kde * je rozdíl potenciálu na tyčce a * její délka .
s-144
s12w-s144
s12w#144
Tedy platí * , kde * je rozdíl potenciálu na tyčce a * její délka.
Z porovnání rovnic * a * vyplývá , že rychlost * , kde * je pohyblivost elektronů zahrnující v sobě konstanty rovnic * a * .
s-145
s12w-s145
s12w#145
Z porovnání rovnic * a * vyplývá, že rychlost * , kde * je pohyblivost elektronů zahrnující v sobě konstanty rovnic * a * .
Je to materiálová konstanta a je různá u různých materiálů .
s-146
s12w-s146
s12w#146
Je to materiálová konstanta a je různá u různých materiálů.
Obdobně lze psát * pro díry , kde * je děrová pohyblivost .
s-147
s12w-s147
s12w#147
Obdobně lze psát * pro díry, kde * je děrová pohyblivost.
U křemíku je * # .
s-148
s12w-s148
s12w#148
U křemíku je * # .
Obecně je děrová pohyblivost menší než pohyblivost elektronová .
s-149
s12w-s149
s12w#149
Obecně je děrová pohyblivost menší než pohyblivost elektronová.
Právě sledované rychlosti je nutné brát jako hodnoty průměrné , protože pod vlivem elektrického pole jsou sice nosiče zrychlovány , ale jejich skutečné okamžité rychlosti se mění tak , jak stále dochází ke srážkám .
s-150
s12w-s150
s12w#150
Právě sledované rychlosti je nutné brát jako hodnoty průměrné, protože pod vlivem elektrického pole jsou sice nosiče zrychlovány, ale jejich skutečné okamžité rychlosti se mění tak, jak stále dochází ke srážkám.
Kromě toho se elektrony pohybují náhodnými pohyby s rychlostí , která je větší než # * .
s-151
s12w-s151
s12w#151
Kromě toho se elektrony pohybují náhodnými pohyby s rychlostí, která je větší než # * .
Jejich výsledný pohyb ve směru působícího elektrického pole je jakýmsi plynutím , pro něž obvykle užíváme anglický název drift a mluvíme o driftovém proudu působeném elektrickým polem .
s-152
s12w-s152
s12w#152
Jejich výsledný pohyb ve směru působícího elektrického pole je jakýmsi plynutím, pro něž obvykle užíváme anglický název drift a mluvíme o driftovém proudu působeném elektrickým polem.
Sledujeme - li tyčku polovodičového materiálu , v podstatě intrisického , musíme sčítat děrové a elektronové proudy k získání celkového driftového proudu .
s-153
s12w-s153
s12w#153
Sledujeme- li tyčku polovodičového materiálu, v podstatě intrisického, musíme sčítat děrové a elektronové proudy k získání celkového driftového proudu.
U děrového proudu , první člen na pravé straně , měli bychom náboj značit * , protože ho nese díra , ale platí * .
s-154
s12w-s154
s12w#154
U děrového proudu, první člen na pravé straně, měli bychom náboj značit * , protože ho nese díra, ale platí * .
Driftový proud lze * .
s-155
s12w-s155
s12w#155
Driftový proud lze * .
Ukáže se , že přesto mezi oběma oblastmi polovodiče se ve styku vytvoří rozdíl potenciálů .
s-156
s12w-s156
s12w#156
Ukáže se, že přesto mezi oběma oblastmi polovodiče se ve styku vytvoří rozdíl potenciálů.
V polovodiči jsou jednak nepohyblivé záporně nabité atomy dotujícího prvku skupiny Mendělejevovy tabulky , zde galia , jako akceptoru , jednak díry , které za pokojové teploty jsou volné .
s-157
s12w-s157
s12w#157
V polovodiči jsou jednak nepohyblivé záporně nabité atomy dotujícího prvku skupiny Mendělejevovy tabulky, zde galia, jako akceptoru, jednak díry, které za pokojové teploty jsou volné.
V polovodiči jsou jednak nepohyblivé kladně nabité atomy dotujícího prvku skupiny * , zde arzénu , jako donoru , jednak volné elektrony .
s-158
s12w-s158
s12w#158
V polovodiči jsou jednak nepohyblivé kladně nabité atomy dotujícího prvku skupiny * , zde arzénu, jako donoru, jednak volné elektrony.
Od okamžiku vzniku přechodu difundují volné elektrony oblasti k místu styku a zanechávají za sebou kladný prostorový náboj nesený nepohyblivými donorovými ionty .
s-159
s12w-s159
s12w#159
Od okamžiku vzniku přechodu difundují volné elektrony oblasti k místu styku a zanechávají za sebou kladný prostorový náboj nesený nepohyblivými donorovými ionty.
Rovněž tak volné díry v oblasti difundují směrem k přechodu , takže se zde setkávají s elektrony , s nimiž rekombinují .
s-160
s12w-s160
s12w#160
Rovněž tak volné díry v oblasti difundují směrem k přechodu, takže se zde setkávají s elektrony, s nimiž rekombinují.
Tyto díry zanechávají za sebou v levé části záporný náboj vytvářený nepohyblivými akceptorovými ionty .
s-161
s12w-s161
s12w#161
Tyto díry zanechávají za sebou v levé části záporný náboj vytvářený nepohyblivými akceptorovými ionty.
Kladný náboj pravé donorové strany odpuzuje kladné volné díry levé akceptorové strany a záporný náboj levé strany volné elektrony pravé strany , takže elektrické pole působí proti difúznímu pohybu a musí nastat rovnováha .
s-162
s12w-s162
s12w#162
Kladný náboj pravé donorové strany odpuzuje kladné volné díry levé akceptorové strany a záporný náboj levé strany volné elektrony pravé strany, takže elektrické pole působí proti difúznímu pohybu a musí nastat rovnováha.
Následkem toho se vytvoří v okolí přechodu potenciálové rozložení podle * .
s-163
s12w-s163
s12w#163
Následkem toho se vytvoří v okolí přechodu potenciálové rozložení podle * .
V těsné blízkosti přechodu vzniká tedy dvojitá elektricky nabitá vrstva s polem kolmým na rovinu styku a orientovaným tak , že brání rekombinování elektronů a děr .
s-164
s12w-s164
s12w#164
V těsné blízkosti přechodu vzniká tedy dvojitá elektricky nabitá vrstva s polem kolmým na rovinu styku a orientovaným tak, že brání rekombinování elektronů a děr.
Na přechodu existuje proto trvale elektrické pole , i když není zapojen vnější zdroj napětí .
s-165
s12w-s165
s12w#165
Na přechodu existuje proto trvale elektrické pole, i když není zapojen vnější zdroj napětí.
V rovnovážném stavu , kdy vnějším obvodem neprochází žádný proud , rovná se difúzní proud elektronů a děr přes přechod proudu následkem uvnitř existujícího zabudovaného elektrického pole * .
s-166
s12w-s166
s12w#166
V rovnovážném stavu, kdy vnějším obvodem neprochází žádný proud, rovná se difúzní proud elektronů a děr přes přechod proudu následkem uvnitř existujícího zabudovaného elektrického pole * .
Toto vnitřní elektrické pole představuje potenciálový val , který je příčinou jednosměrné vodivosti .
s-167
s12w-s167
s12w#167
Toto vnitřní elektrické pole představuje potenciálový val, který je příčinou jednosměrné vodivosti.
Kritériem uvedené rovnováhy je splynutí Fermiho hladin obou opačně dotovaných oblastí v pásovém diagramu .
s-168
s12w-s168
s12w#168
Kritériem uvedené rovnováhy je splynutí Fermiho hladin obou opačně dotovaných oblastí v pásovém diagramu.
Fermiho hladina je definována jako ta hladina , vzhledem k níž je stejně pravděpodobné , že najdeme elektron s energií # elektronvoltů nad touto hladinou , jako je pravděpodobné , že najdeme nepřítomnost elektronu s energií # elektronvoltů pod uvedenou hladinou .
s-169
s12w-s169
s12w#169
Fermiho hladina je definována jako ta hladina, vzhledem k níž je stejně pravděpodobné, že najdeme elektron s energií # elektronvoltů nad touto hladinou, jako je pravděpodobné, že najdeme nepřítomnost elektronu s energií # elektronvoltů pod uvedenou hladinou.
Stýkají - li se dvě tuhé látky v tepelné rovnováze , splývají Fermiho hladiny obou v jednu přímku .
s-170
s12w-s170
s12w#170
Stýkají- li se dvě tuhé látky v tepelné rovnováze, splývají Fermiho hladiny obou v jednu přímku.
Objasníme to na * , kde * značí horní hranici valenčního pásu a * dolní hranici vodivostního pásu .
s-171
s12w-s171
s12w#171
Objasníme to na * , kde * značí horní hranici valenčního pásu a * dolní hranici vodivostního pásu.
Na * je diagram intrinsického polovodiče s Fermiho hladinou .
s-172
s12w-s172
s12w#172
Na * je diagram intrinsického polovodiče s Fermiho hladinou.
Znázorňuje Fermiho hladinu u polovodiče typu * , kdežto na * je vyznačena Fermiho hladina u polovodiče typu * .
s-173
s12w-s173
s12w#173
Znázorňuje Fermiho hladinu u polovodiče typu * , kdežto na * je vyznačena Fermiho hladina u polovodiče typu * .
Vraťme se opět ke krystalu s přechodem .
s-174
s12w-s174
s12w#174
Vraťme se opět ke krystalu s přechodem.
Při bližším zkoumání zjistíme , že i takovým přechodem bez zapojeného vnějšího napětí procházejí protichůdné proudy , které se vzájemně kompenzují .
s-175
s12w-s175
s12w#175
Při bližším zkoumání zjistíme, že i takovým přechodem bez zapojeného vnějšího napětí procházejí protichůdné proudy, které se vzájemně kompenzují.
Vznik jednoho proudu je nutné hledat v oblasti , v níž některé díry získají za pokojové teploty tepelným kmitáním tolik energie , že jsou - li blízko styku , přestoupí potenciálovou bariéru a přejdou do oblasti * .
s-176
s12w-s176
s12w#176
Vznik jednoho proudu je nutné hledat v oblasti, v níž některé díry získají za pokojové teploty tepelným kmitáním tolik energie, že jsou- li blízko styku, přestoupí potenciálovou bariéru a přejdou do oblasti * .
Mnoho těchto děr se vrátí zpět do oblasti a nezpůsobí žádný další účinek .
s-177
s12w-s177
s12w#177
Mnoho těchto děr se vrátí zpět do oblasti a nezpůsobí žádný další účinek.
Některé díry však vniknou hlouběji do oblasti , v níž po určité době rekombinují s tamními většinovými elektrony .
s-178
s12w-s178
s12w#178
Některé díry však vniknou hlouběji do oblasti, v níž po určité době rekombinují s tamními většinovými elektrony.
Pohyb sledovaných děr nese proud z oblasti * do oblasti * , který označíme * .
s-179
s12w-s179
s12w#179
Pohyb sledovaných děr nese proud z oblasti * do oblasti * , který označíme * .
Index poukazuje na rekombinaci .
s-180
s12w-s180
s12w#180
Index poukazuje na rekombinaci.
Nepůsobí - li na krystalu vnější napětí , není možné , aby trvale procházel proud , protože celkový proud přechodem musí být nulový .
s-181
s12w-s181
s12w#181
Nepůsobí- li na krystalu vnější napětí, není možné, aby trvale procházel proud, protože celkový proud přechodem musí být nulový.
Musí proto existovat druhý proud procházející v opačném směru .
s-182
s12w-s182
s12w#182
Musí proto existovat druhý proud procházející v opačném směru.
Tento proud je tvořen děrami , které vznikají v oblasti na rekombinačních centrech jako menšinové nosiče .
s-183
s12w-s183
s12w#183
Tento proud je tvořen děrami, které vznikají v oblasti na rekombinačních centrech jako menšinové nosiče.
Díry takto vznikající blízko styku difundují až k potenciálové bariéře , kterou snadno překonají a přejdou do polovodiče jako proud .
s-184
s12w-s184
s12w#184
Díry takto vznikající blízko styku difundují až k potenciálové bariéře, kterou snadno překonají a přejdou do polovodiče jako proud.
Index připomíná teplotu , která podmiňuje tok tohoto proudu .
s-185
s12w-s185
s12w#185
Index připomíná teplotu, která podmiňuje tok tohoto proudu.
Je samozřejmé , že k proudům * a * přispívají stejnou měrou i elektrony , ale pro zjednodušení vycházíme z dohody , že sledujeme pochod jenom z hlediska děr .
s-186
s12w-s186
s12w#186
Je samozřejmé, že k proudům * a * přispívají stejnou měrou i elektrony, ale pro zjednodušení vycházíme z dohody, že sledujeme pochod jenom z hlediska děr.
Má to i tu výhodu , že směr toku kladných děr je již směrem proudu podle platící dohody .
s-187
s12w-s187
s12w#187
Má to i tu výhodu, že směr toku kladných děr je již směrem proudu podle platící dohody.
Zapojíme nyní na sledovaný krystal vnější stejnosměrné napětí s polaritou vyznačenou na * .
s-188
s12w-s188
s12w#188
Zapojíme nyní na sledovaný krystal vnější stejnosměrné napětí s polaritou vyznačenou na * .
Tím se snižuje potenciálový val na přechodu , jak je též patrno na potenciálovém diagramu téhož obrázku .
s-189
s12w-s189
s12w#189
Tím se snižuje potenciálový val na přechodu, jak je též patrno na potenciálovém diagramu téhož obrázku.
Je zřejmé , že se podstatně zvětší děrový proud z polovodiče do části * .
s-190
s12w-s190
s12w#190
Je zřejmé, že se podstatně zvětší děrový proud z polovodiče do části * .
Kladné díry jsou přitahovány elektrostatickými silami k záporné elektrodě , záporně nabité elektrony se naopak pohybují opačným směrem .
s-191
s12w-s191
s12w#191
Kladné díry jsou přitahovány elektrostatickými silami k záporné elektrodě, záporně nabité elektrony se naopak pohybují opačným směrem.
Prochází velký celkový proud ve směru propustném a přechod má malý odpor .
s-192
s12w-s192
s12w#192
Prochází velký celkový proud ve směru propustném a přechod má malý odpor.
Vzrostl tedy proud .
s-193
s12w-s193
s12w#193
Vzrostl tedy proud.
Proud v opačném směru se však podstatně nezmění , neboť je nesen difúzí menšinových děr z oblasti * do oblasti * .
s-194
s12w-s194
s12w#194
Proud v opačném směru se však podstatně nezmění, neboť je nesen difúzí menšinových děr z oblasti * do oblasti * .
Vzdálenost , do které se dostávají díry prošlé přechodem , je v oblasti * dána difúzní délkou .
s-195
s12w-s195
s12w#195
Vzdálenost, do které se dostávají díry prošlé přechodem, je v oblasti * dána difúzní délkou.
Říkává se , že přechod polarizovaný v propustném směru dobře vstřikuje neboli injektuje menšinové nosiče .
s-196
s12w-s196
s12w#196
Říkává se, že přechod polarizovaný v propustném směru dobře vstřikuje neboli injektuje menšinové nosiče.
Tytéž úvahy platí i o elektronech , které přicházejí jako menšinové nosiče do oblasti * .
s-197
s12w-s197
s12w#197
Tytéž úvahy platí i o elektronech, které přicházejí jako menšinové nosiče do oblasti * .
Přiveďme nyní na přechod závěrné napětí podle * .
s-198
s12w-s198
s12w#198
Přiveďme nyní na přechod závěrné napětí podle * .
Tím zvětšíme potenciálovou bariéru na přechodu a proud klesne na nulu .
s-199
s12w-s199
s12w#199
Tím zvětšíme potenciálovou bariéru na přechodu a proud klesne na nulu.
Opačný proud prochází jako v předešlých případech beze změny , protože je nesen menšinovými děrami z části * do části * .
s-200
s12w-s200
s12w#200
Opačný proud prochází jako v předešlých případech beze změny, protože je nesen menšinovými děrami z části * do části * .
Edit as list • Text view • Dependency trees