In this work there are examined the structural surface characteristics of the P/In0→0.76Ga1→0.24P/In0.76(AlGa)0.24P sample with an active LED area created by a P-N transition in quaternary material In(AlGa)P. A surface morphology was treated using AFM method in contact and semicontact regimes. The obtained results were compared with measured results of optical transmission using NSOM in shear force regime provided transmission measurements utilizing a tipped optical fibre. The aim of the work is to compare measured results of surface morphology of LED structures not matched in grid to the substrate obtained by various SPM methods. and V práci sú vyšetrované štrukturálne vlastnosti povrchu vzorky GaP/In0→0,76Ga1→0,24P/In0,76(AlGa)0,24P, v ktorej aktívnu oblasť LED štruktúry tvorí P-N priechod v kvaternárnom materiáli In(AlGa)P. Povrchová morfológia bola skúmaná pomocou metódy AFM v kontaktnom a semikontaktnom režime. Namerané výsledky boli porovnané s výsledkami merania optickej priepustnosti pomocou NSOM, ktorý pracoval v ''shear force'' režime a umožňoval meranie transmisie využitím zahroteného optického vlákna. Cieľom práce je porovnanie výsledkov meraní povrchovej morfológie LED štruktúr mriežkovo neprispôsobených k podložke, získané použitím rôznych metód SPM.